IGBT模塊靜態參數測試機功率器件測試系統集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、 BJT、IGBT，以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態參數，具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻精確測量、納安級漏電流測量能力等特點。支持高壓模式下功率器件結電容測試，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

  近年來IGBT成為電力電子領域中尤為矚目的電力電子器件,并得到越來越廣泛的應用,那么IGBT的測試就變的尤為重要了。lGBT的測試包括靜態參數測試、動態參數測試、功率循環、HTRB可靠性測試等,這些測試中蕞基本的測試就是靜態參數測試。

  IGBT靜態參數主要包含:柵極-發射極閾值電壓VGE(th)、柵極-發射極漏電流lGEs、集電極-發射極截止電流lcEs、集電極-發射極飽和電壓VcE(sat)、續流二極管壓降VF、輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Crsso只有保證IGBT的靜態參數沒有問題的情況下,才進行像動態參數(開關時間、開關損耗、續流二極管的反向恢復)、功率循環、HTRB可靠性方面進行測試。

IGBT功率半導體器件測試難點

  IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有高輸入阻抗和低導通壓降兩方面的優點;同時IGBT芯片屬于電力電子芯片,需要工作在大電流、高電壓、高頻率的環境下,對芯片的可靠性要求較高。這給IGBT測試帶來了一定的困難:

1、IGBT是多端口器件,需要多種儀表協同測試;

2、IGBT的漏電流越小越好,需要高精度的設備進行測試;

3、IGBT的電流輸出能力很強,測試時需要快速注入1000安級電流,并完成壓降的采樣;

4、lGBT耐壓較高,一般從幾千到一萬伏不等,需要測量儀器具備高壓輸出和高壓下納安級漏電流測試的能力;

5、由于IGBT工作在強電流下,自加熱效應明顯，嚴重時容易造成器件燒毀,需要提供us級電流脈沖信號減少器件自加熱效應;

6、輸入輸出電容對器件的開關性能影響很大,不同電壓下器件等效結電容不同,C-V測試十分有必要。

IGBT模塊靜態參數測試機功率器件測試系統解決方案

  普賽斯功率器件靜態參數測試系統,集多種測量和分析功能一體,可以精準測量功率半導體器件的靜態參數,具有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、納安級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

IGBT測試系統圖

  普賽斯功率器件靜態測試系統配置由多種測量單元模塊組成,系統模塊化的設計能夠極大方便用戶添加或升級測量模塊,適應測量功率器件不斷變化的需求。

“雙高”系統優勢

    高電壓、大電流

    具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(蕞大可擴展至12kV)

    具有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯)

    高精度測量

     納安級漏電流, μΩ級導通電阻

    0.1%精度測量

    模塊化配置

    可根據實際測試需要靈活配置多種測量單元系統預留升級空間,后期可添加或升級測量單元

    測試效率高

    內置專用開關矩陣,根據測試項目自動切換電路與測量單元

    支持國標全指標的一鍵測試

    擴展性好

    支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具

測試項目

二極管：反向擊穿電壓V_R、反向漏電流I_R、正向電壓V_F、 正向電流I_F、電容值C_d、I-V曲線、C-V曲線

三極管：V_(BR)CEO、V_(BR)CBO、V_(BR)EBO、I_CBO、V_CE(sat)、VBE(sat)、I_C、I_B、C_eb、 增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線

Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V_(BR)DSS/V_(BR)CES、I_DSS/I_CES、V_CE(sat)、R_DS(on)、V_SD/V_F、V_GS(th)/、V_GE(th)、I_GSS/I_GES柵極內阻R_g、輸入電容C_iss/C_ies、輸出電容、C_oss/C_oes、反向傳輸電容C_rss/C_res、跨導g_fs、輸出特性曲線、 轉移特性曲線、C-V特性曲線

光耦(四端口以下)：I_F、V_F、V_(BR)CEO、V_CE(sat)、I_CEO、I_R、輸入電容C_T、輸出電容C_CE、 電流傳輸比C_TR、隔離電容C_IO